STP4NB80

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STP4NB80
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
Specifiche:	STP4NB80.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	70478 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70478 pcs

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Specifiche di STP4NB80

Modello di prodotti	STP4NB80	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	70478 pcs	Scheda dati	STP4NB80.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	PowerMESH™	Rds On (max) a Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	497-2781-5
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	800V
Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 4A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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