Modello di prodotti | PDTA115ES,126 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
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Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 6714 pcs | Scheda dati | |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V | Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased | Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Serie | - | Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms | Potenza - Max | 500mW |
imballaggio | Tape & Box (TB) | Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Altri nomi | 934058152126 PDTA115ES AMO PDTA115ES AMO-ND |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 1µA | Corrente - collettore (Ic) (max) | 20mA |
Numero di parte base | PDTA115 |
FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
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