QS8J4TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	QS8J4TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Specifiche:	1.QS8J4TR.pdf 2.QS8J4TR.pdf 3.QS8J4TR.pdf 4.QS8J4TR.pdf 5.QS8J4TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	182988 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 182988 pcs

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Specifiche di QS8J4TR

Modello di prodotti	QS8J4TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	182988 pcs	Scheda dati	1.QS8J4TR.pdf 2.QS8J4TR.pdf 3.QS8J4TR.pdf 4.QS8J4TR.pdf 5.QS8J4TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	56 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max	550mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A

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Post-Vendita
Specifiche

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