GP2M011A090NG

Global Power Technologies Group

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GP2M011A090NG
Costruttore / Marca:	Global Power Technologies Group
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Specifiche:	GP2M011A090NG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	6711 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6711 pcs

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Specifiche di GP2M011A090NG

Modello di prodotti	GP2M011A090NG	fabbricante	Global Power Technologies Group
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	6711 pcs	Scheda dati	GP2M011A090NG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PN
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	900 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	416W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	Altri nomi	1560-1209-1 1560-1209-1-ND 1560-1209-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3240pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	900V
Descrizione dettagliata	N-Channel 900V 11A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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