DMN3135LVT-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN3135LVT-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Specifiche:	DMN3135LVT-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	195840 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195840 pcs

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Specifiche di DMN3135LVT-7

Modello di prodotti	DMN3135LVT-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	195840 pcs	Scheda dati	DMN3135LVT-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Potenza - Max	840mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMN3135LVT-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A

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Post-Vendita
Specifiche

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